本期Insider：Galaxy S23 FE将获得超频的Exynos 2200；在 Android 14 中，热键的数量将增加一倍；realme 即将推出的旗舰将配备 Snapdragon 8 Gen 2。
Galaxy S23 FE 将获得超频的 Exynos 2200
Insider @RGcloudS 报道称，尚未透露的 Galaxy S23 FE 将配备超频的 Exynos 2200 处理器。尽管名称与 S22 系列所使用的芯片相同，但处理器本身会略有不同。为了解释差异，内部人士引用了三星和高通生产的数据。
2022 年，在 Exynos 2200 的生产中，4LPE（4 纳米）和 4LPX（5 纳米）技术工艺中加工“硅”的百分比为 20%，在 8 Gen 1 的生产中为 35%。现在，据知情人透露，4nm工艺有了明显的提升，今年的Exynos 2200性能优于骁龙8 Gen 1，与骁龙8+ Gen 1“差不多”。
S23 FE的发布日期尚未公布，但根据初步信息，该智能手机将于8月开始量产。
Android 14 的键盘快捷键数量将增加一倍
Insider Mishal Rahman 在最新的 Android 14 Beta 中发现了新的键盘快捷键。连接物理键盘后，它们将在大屏幕设备上可用。在智能手机上（或激活适当的 dpi 后），热键“少得多”。内部人士总共发现了 29 种组合，而在第 13 版中有 13 种组合。
realme 即将推出的旗舰将配备 Snapdragon 8 Gen 2
Insider Digital Chat Station 谈到了未来 realme 旗舰智能手机的特点，但没有提到它的名字。也许，我们正在谈论 GT Neo6 (GT 4)。如果是这样，那么新颖性将配备一个未知尺寸的 OLED 矩阵，分辨率为 1.5K +，刷新率为 144 Hz。在这种情况下，PWM 值将为 2160 Hz。
配备 LPDDR5x RAM 的 Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 将负责性能。我们还了解 UFS 4.0 内存、100 瓦充电和超薄显示屏边框。早些时候，网络上出现的信息表明，智能手机将配备一个带 OIS 的 50 兆像素摄像头。